盆栽花燭宜選用排水良好的基質(zhì)，規(guī)模化生產(chǎn)用泥炭、珍珠巖、沙的復(fù)合基質(zhì)，其比例為，1立方米泥炭：4至5公斤珍珠巖：0.15立方米沙。其pH值保持5.5-6.5之間。最適生長溫度為20-30℃，最高溫度不宜超過35℃，最低溫度為14℃，低于10℃隨時有凍害的可能。最適空氣相對濕度為70%-80%，不宜低于50%，因為保持栽培環(huán)境中較高的空氣濕度，是花燭栽培成功的關(guān)鍵。因此，一年四季應(yīng)多次進(jìn)行葉面噴水。花燭不耐強光，全年宜在適當(dāng)遮陰的環(huán)境下栽培，即選擇有保護(hù)性設(shè)施的溫室栽培。春、夏、秋季應(yīng)適當(dāng)遮陰，尤其是夏季需遮光70%。陽光直射會使其葉片溫度比氣溫高，葉溫太高會出現(xiàn)灼傷、焦葉、花苞褪色和葉片生長變慢等現(xiàn)象。[5] 

上盆

花盆規(guī)格不同階段對盆的規(guī)格要求不同，小苗階段一般已在育苗公司完成，生產(chǎn)時所購買的花燭苗均是中苗(15厘米左右)以上。所以，在上盆種植時，可選擇一次性使用的160×150毫米的紅色塑膠盆種植。栽培基質(zhì)栽培基質(zhì)必須具有保水保肥能力強、通透性好、不積水、不含有毒物質(zhì)并能固定植株等性能。種植前，基質(zhì)還必須經(jīng)徹底的消毒處理，以殺滅病蟲害，保持其正常生長。上盆種植花燭是喜陰植物，種植時需要有75%遮光能力的遮光網(wǎng)，以防止過強的光照。采用雙株種植優(yōu)于單株種植，上盆種植時很重要的一點是使植株心部的生長點露出基質(zhì)的水平面，同時應(yīng)盡量避免植株沾染基質(zhì)。上盆時先在盆下部填充4-5厘米顆粒狀的碎石物，然后加培養(yǎng)土2-3厘米，同時將植株正放于盆中央，使根系充分展開，最后填充培養(yǎng)土至盆面2-3厘米即可，但應(yīng)露出植株中心的生長點及基部的小葉。種植后必須及時噴施菌劑，以防止疫霉病和腐霉病的發(fā)生。